Радиоэлектроника
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Рейтинг 0.00 (0 Голосов)

Пробой p-n перехода

При достаточно большом значении обратного напряжения () неосновные носители зарядов полупроводников получают большую энергию. При этом резко возрастает и возникает пробой перехода, который бывает электрическим и тепловым. Электрический пробой в свою очередь определяется лавинным и туннельным пробоем. Лавинный пробой вызывается лавинным увеличением неосновных носителей зарядов за счет ударной ионизации атомов. Туннельный пробой вызывается туннельным эффектом, то есть непосредственным отрывом электрона от атома электрическим полем.

Электрический пробой не опасен для p-n перехода в том смысле, что при снижении свойства перехода полностью восстанавливаются.

Если при пробое нет достаточного отвода тепла, то электрический пробой переходит в тепловой. Он связан с тем, что повышение температуры ПП приводит к увеличению количества и скорости движения зарядов, что, в свою очередь, увеличивает концентрацию зарядов и температуру ПП.

Тепловой пробой на ВАХ изображается областью 5, когда при повышении падает. Тепловой пробой приводит к разрушению p-n перехода.