Домашнее задание №1 по курсу «Электротехника и электроника» Расчет диодных и транзисторных цепей.
Задача 2
1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему (рис. 1 или рис. 2) в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а», «в» - Uвых а, в, для вариантов «б», «г» - Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Данные для расчета приведены в таблице.
Рис. 1
Рис. 2
Вар. |
Тип транзистора VT |
Uп, В |
Rвн и, Ом |
Uвых, В |
|
1 |
а |
2Т127А-1 |
12 |
100 |
9 |
б |
ГТ124А |
7 |
120 |
5 |
|
в |
МП38 |
10 |
80 |
8 |
|
г |
МП13Б |
15 |
100 |
12 |
|
2 |
а |
ГТ125А |
10 |
80 |
9 |
б |
МП14 |
12 |
100 |
10 |
|
в |
ГТ112А |
12 |
120 |
9 |
|
г |
МП101 |
15 |
150 |
12 |
|
3 |
а |
КТ214Е-1 |
10 |
200 |
8 |
б |
ГТ122Г |
12 |
120 |
9 |
|
в |
М5А |
15 |
140 |
13 |
|
г |
МП103А |
7 |
80 |
6 |
|
4 |
а |
МП9А |
12 |
200 |
10 |
б |
МП111 |
15 |
210 |
12 |
|
в |
МП15 |
10 |
100 |
8 |
|
г |
1Т102 |
9 |
120 |
7 |
|
5 |
а |
МП10А |
12 |
80 |
9 |
б |
МП16А |
10 |
100 |
8 |
|
в |
МП112 |
12 |
150 |
8 |
|
г |
ГТ125Г |
15 |
200 |
12 |
|
6 |
а |
МП21 |
7 |
80 |
5 |
б |
П39Б |
10 |
100 |
8 |
|
в |
МП113 |
9 |
110 |
7 |
|
г |
МП11А |
12 |
200 |
10 |
|
7 |
а |
МП25А |
15 |
200 |
12 |
б |
ТМ3А |
10 |
120 |
7 |
|
в |
П40 |
16 |
180 |
14 |
|
г |
МП37 |
24 |
200 |
18 |
|
8 |
а |
М3А |
12 |
160 |
10 |
б |
М36А |
15 |
150 |
10 |
|
в |
МП20 |
10 |
100 |
8 |
|
г |
МП41А |
22 |
120 |
18 |
|
9 |
а |
П307А |
18 |
200 |
15 |
б |
2Т203В |
12 |
150 |
9 |
|
в |
П308 |
15 |
100 |
10 |
|
г |
КТ209Д |
10 |
80 |
8 |
|
10 |
а |
П28 |
9 |
50 |
7 |
б |
КТ207В |
12 |
120 |
8 |
|
в |
П309 |
24 |
220 |
20 |
|
г |
МП35 |
22 |
200 |
17 |
|
Вар. |
Тип транзистора VT |
Uп, В |
Rвн и, Ом |
Uвых, В |
|
11 |
а |
1Т305А |
22 |
120 |
18 |
б |
ГТ3115 |
12 |
100 |
10 |
|
в |
2Т3129Б9 |
15 |
100 |
13 |
|
г |
КТ3102В |
18 |
80 |
15 |
|
12 |
а |
2Т3117Б |
10 |
120 |
7 |
б |
КТ312Б |
15 |
150 |
12 |
|
в |
1Т308А |
12 |
200 |
10 |
|
г |
ГТ305А |
9 |
140 |
7 |
|
13 |
а |
КТ379А |
20 |
210 |
16 |
б |
1Т335В |
24 |
80 |
18 |
|
в |
КТ315Г |
12 |
100 |
10 |
|
г |
ГТ308А |
10 |
120 |
7 |
|
14 |
а |
2Т326А |
7 |
150 |
5 |
б |
ГТ309Б |
9 |
200 |
7 |
|
в |
2Т3130ВТ |
10 |
180 |
7 |
|
г |
КТ339А |
20 |
120 |
15 |
|
15 |
а |
2Т360А-1 |
12 |
100 |
10 |
б |
КТ373Г |
15 |
180 |
11 |
|
в |
2N906A |
14 |
220 |
10 |
|
г |
КТ340Д |
20 |
80 |
17 |
|
16 |
а |
КТ3117А |
7 |
110 |
5 |
б |
2N2222 |
12 |
150 |
9 |
|
в |
2Т392А-2 |
22 |
210 |
19 |
|
г |
2N2907 |
15 |
170 |
13 |
|
17 |
а |
КТ342В |
10 |
100 |
7 |
б |
ГТ310А |
18 |
80 |
15 |
|
в |
1Т3115 |
12 |
120 |
9 |
|
г |
КТ361В |
10 |
180 |
8 |
|
18 |
а |
ГТ320В |
9 |
140 |
7 |
б |
КТ380А |
14 |
200 |
11 |
|
в |
КТ316Б |
16 |
150 |
14 |
|
г |
2Т355А |
20 |
180 |
16 |
|
19 |
а |
КТ3104Б |
12 |
100 |
8 |
б |
2Т368А |
10 |
120 |
8 |
|
в |
ГТ322Б |
7 |
80 |
5 |
|
г |
ГТ311В |
9 |
140 |
6 |
|
20 |
а |
КТ306А |
22 |
200 |
18 |
б |
КТ325Б |
24 |
180 |
18 |
|
в |
ГТ328В |
12 |
150 |
10 |
|
г |
КТ3107А |
10 |
100 |
8 |
Вар. |
Тип транзистора VT |
Uп, В |
Rвн и, Ом |
Uвых, В |
|
21 |
а |
2Т396А-2 |
12 |
200 |
9 |
б |
КТ313А |
10 |
150 |
8 |
|
в |
КТ366В |
14 |
100 |
11 |
|
г |
КТ326АМ |
20 |
120 |
15 |
|
22 |
а |
КТ343А |
10 |
210 |
7 |
б |
КТ3108А |
7 |
180 |
5 |
|
в |
КТ368А |
12 |
120 |
9 |
|
г |
КТ396А-2 |
24 |
80 |
17 |
|
23 |
а |
М4Д |
12 |
200 |
8 |
б |
ГТ404А |
10 |
140 |
8 |
|
в |
КТ349А |
18 |
100 |
12 |
|
г |
КТ503Г |
9 |
150 |
7 |
|
24 |
а |
2Т603В |
20 |
120 |
14 |
б |
КТ315Ж |
22 |
200 |
18 |
|
в |
П401 |
12 |
100 |
8 |
|
г |
КТ350А |
7 |
100 |
5 |
|
25 |
а |
2Т630Д |
12 |
110 |
9 |
б |
КТ351Б |
9 |
80 |
5 |
|
в |
КТ340А |
18 |
200 |
12 |
|
г |
П402 |
20 |
220 |
16 |
|
26 |
а |
КТ352А |
24 |
180 |
18 |
б |
П403А |
10 |
120 |
8 |
|
в |
2Т608А |
15 |
150 |
12 |
|
г |
КТ605БМ |
12 |
100 |
9 |
|
27 |
а |
КТ357А |
7 |
80 |
5 |
б |
ГТ122Б |
24 |
210 |
19 |
|
в |
КТ360А-1 |
12 |
180 |
8 |
|
г |
П307Г |
10 |
110 |
8 |
|
28 |
а |
КТ601А |
16 |
180 |
12 |
б |
ГТ404Ж |
20 |
140 |
15 |
|
в |
П414Б |
7 |
100 |
4 |
|
г |
П422 |
9 |
80 |
6 |
|
29 |
а |
КТ603Б |
22 |
150 |
18 |
б |
1Т313В |
12 |
120 |
8 |
|
в |
КТ608А |
15 |
200 |
11 |
|
г |
ГТ346В |
10 |
180 |
7 |
|
30 |
а |
ГТ376А |
18 |
210 |
14 |
б |
КТ326Б |
12 |
150 |
9 |
|
в |
КТ645Б |
24 |
200 |
19 |
|
г |
КТ503А |
20 |
120 |
15 |
Методические указания по решению домашнего задания.
Сопротивление резистора Rк выбирается из расчета ограничения коллекторного тока транзистора до величины в полтора раза меньшей максимально допустимого коллекторного тока.
Сопротивление резистора Rэ выбирается на порядок меньше, чем Rк.
Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия обеспечения напряжения на резисторе R2 в 2÷4 раза меньше напряжения питания (Uп = (2÷4)UR2).