Задачи
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Рейтинг 0.00 (0 Голосов)

Домашнее задание №1 по курсу «Электротехника и электроника» Расчет диодных и транзисторных цепей.

Задача 2

1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.

2. Нарисовать схему (рис. 1 или рис. 2) в соответствии с типом транзистора.

3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.

4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а», «в» - Uвых а, в, для вариантов «б», «г» - Uвых б, г).

5. Сделать выводы.

Данные для расчета приведены в таблице.

Данные для расчета1

Рис. 1

Данные для расчета2

Рис. 2

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

1

а

2Т127А-1

12

100

9

б

ГТ124А

7

120

5

в

МП38

10

80

8

г

МП13Б

15

100

12

2

а

ГТ125А

10

80

9

б

МП14

12

100

10

в

ГТ112А

12

120

9

г

МП101

15

150

12

3

а

КТ214Е-1

10

200

8

б

ГТ122Г

12

120

9

в

М5А

15

140

13

г

МП103А

7

80

6

4

а

МП9А

12

200

10

б

МП111

15

210

12

в

МП15

10

100

8

г

1Т102

9

120

7

5

а

МП10А

12

80

9

б

МП16А

10

100

8

в

МП112

12

150

8

г

ГТ125Г

15

200

12

6

а

МП21

7

80

5

б

П39Б

10

100

8

в

МП113

9

110

7

г

МП11А

12

200

10

7

а

МП25А

15

200

12

б

ТМ3А

10

120

7

в

П40

16

180

14

г

МП37

24

200

18

8

а

М3А

12

160

10

б

М36А

15

150

10

в

МП20

10

100

8

г

МП41А

22

120

18

9

а

П307А

18

200

15

б

2Т203В

12

150

9

в

П308

15

100

10

г

КТ209Д

10

80

8

10

а

П28

9

50

7

б

КТ207В

12

120

8

в

П309

24

220

20

г

МП35

22

200

17

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

11

а

1Т305А

22

120

18

б

ГТ3115

12

100

10

в

2Т3129Б9

15

100

13

г

КТ3102В

18

80

15

12

а

2Т3117Б

10

120

7

б

КТ312Б

15

150

12

в

1Т308А

12

200

10

г

ГТ305А

9

140

7

13

а

КТ379А

20

210

16

б

1Т335В

24

80

18

в

КТ315Г

12

100

10

г

ГТ308А

10

120

7

14

а

2Т326А

7

150

5

б

ГТ309Б

9

200

7

в

2Т3130ВТ

10

180

7

г

КТ339А

20

120

15

15

а

2Т360А-1

12

100

10

б

КТ373Г

15

180

11

в

2N906A

14

220

10

г

КТ340Д

20

80

17

16

а

КТ3117А

7

110

5

б

2N2222

12

150

9

в

2Т392А-2

22

210

19

г

2N2907

15

170

13

17

а

КТ342В

10

100

7

б

ГТ310А

18

80

15

в

1Т3115

12

120

9

г

КТ361В

10

180

8

18

а

ГТ320В

9

140

7

б

КТ380А

14

200

11

в

КТ316Б

16

150

14

г

2Т355А

20

180

16

19

а

КТ3104Б

12

100

8

б

2Т368А

10

120

8

в

ГТ322Б

7

80

5

г

ГТ311В

9

140

6

20

а

КТ306А

22

200

18

б

КТ325Б

24

180

18

в

ГТ328В

12

150

10

г

КТ3107А

10

100

8

Вар.

Тип транзистора VT

Uп, В

Rвн и, Ом

Uвых, В

21

а

2Т396А-2

12

200

9

б

КТ313А

10

150

8

в

КТ366В

14

100

11

г

КТ326АМ

20

120

15

22

а

КТ343А

10

210

7

б

КТ3108А

7

180

5

в

КТ368А

12

120

9

г

КТ396А-2

24

80

17

23

а

М4Д

12

200

8

б

ГТ404А

10

140

8

в

КТ349А

18

100

12

г

КТ503Г

9

150

7

24

а

2Т603В

20

120

14

б

КТ315Ж

22

200

18

в

П401

12

100

8

г

КТ350А

7

100

5

25

а

2Т630Д

12

110

9

б

КТ351Б

9

80

5

в

КТ340А

18

200

12

г

П402

20

220

16

26

а

КТ352А

24

180

18

б

П403А

10

120

8

в

2Т608А

15

150

12

г

КТ605БМ

12

100

9

27

а

КТ357А

7

80

5

б

ГТ122Б

24

210

19

в

КТ360А-1

12

180

8

г

П307Г

10

110

8

28

а

КТ601А

16

180

12

б

ГТ404Ж

20

140

15

в

П414Б

7

100

4

г

П422

9

80

6

29

а

КТ603Б

22

150

18

б

1Т313В

12

120

8

в

КТ608А

15

200

11

г

ГТ346В

10

180

7

30

а

ГТ376А

18

210

14

б

КТ326Б

12

150

9

в

КТ645Б

24

200

19

г

КТ503А

20

120

15

Методические указания по решению домашнего задания.

Сопротивление резистора Rк выбирается из расчета ограничения коллекторного тока транзистора до величины в полтора раза меньшей максимально допустимого коллекторного тока.

Сопротивление резистора Rэ выбирается на порядок меньше, чем Rк.

Сопротивления резисторов R1 и R2 выбираются из условия обеспечения напряжения на резисторе R2 в 2÷4 раза меньше напряжения питания (Uп = (2÷4)UR2).