Радиоэлектроника
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 Рейтинг 0.00 (0 Голосов)

Сопротивление и емкость p-n перехода

Сопротивление считается в прямом и обратном направлении. И в том и в другом случае сопротивление бывает статическим и дифференциальным (image001_0 Сопротивление и емкость p-n перехода и image002_2 Сопротивление и емкость p-n перехода).

image003_2 Сопротивление и емкость p-n перехода

Наряду с image002_2 Сопротивление и емкость p-n перехода вводят понятие крутизны ВАХ: image004_2 Сопротивление и емкость p-n перехода.

P-n переход обладает емкостью, которая складывается из диффузионной (image005_2 Сопротивление и емкость p-n перехода) и барьерной (image006_2 Сопротивление и емкость p-n перехода).

image006_2 Сопротивление и емкость p-n перехода обусловлена неподвижными носителями зарядов (ионами) по обе стороны p-n перехода.

С увеличением ширины запирающего слоя image006_2 Сопротивление и емкость p-n перехода уменьшается. Проявляется image006_2 Сопротивление и емкость p-n перехода при обратном напряжении, так как именно image007_1 Сопротивление и емкость p-n перехода и увеличивает ширину запирающего слоя.

image005_2 Сопротивление и емкость p-n перехода обусловлена подвижными носителями зарядов по обе стороны границы p-n перехода.

При уменьшении ширины запирающего слоя image005_2 Сопротивление и емкость p-n перехода возрастает. Проявляет себя image005_2 Сопротивление и емкость p-n перехода при image008_2 Сопротивление и емкость p-n перехода. image007_1 Сопротивление и емкость p-n перехода всегда много больше image006_2 Сопротивление и емкость p-n перехода.

image009_1 Сопротивление и емкость p-n перехода